Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.ddpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/278
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorБаранюкова, И.С.-
dc.date.accessioned2020-07-13T04:50:02Z-
dc.date.available2020-07-13T04:50:02Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://dspace.ddpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/278-
dc.descriptionThe presence of various defects in the semiconductor crystal such as dislocations, vacancies, small-angle boundaries, and impurity atoms significantly reduces the lifetime of minority carriers of charge τ. In this paper attention is drawn to a similar action directly on the surface itself, as a natural defect in the crystal structureen_EN
dc.description.abstractПрисутствие в полупроводниковом кристалле различных дефектов типа дислокаций, вакансий, малоугловых границ и примесных атомов значительно сокращает время жизни неосновных носителей зарядаτ. В данной работе обращено внимание на подобное действие непосредственно самой поверхности, как естественного дефекта кристаллической структурыen_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8;60-64-
dc.subjectскорость рекомбинацииen_EN
dc.subjectравновесное состояниеen_EN
dc.subjectдислокацияen_EN
dc.subjectдефектыen_EN
dc.titleЦентры рекомбинации на поверхности полупроводникаen_EN
dc.title.alternativeRecombination centers on the surface of a semiconductoren_EN
dc.typeArticleen_EN
Розташовується у зібраннях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
pp_060-064.pdf169,95 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.