Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.ddpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/439
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorУколов, А.И.-
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorВинокурова, А.С.-
dc.contributor.authorКалимбет, А.З.-
dc.date.accessioned2021-04-28T10:15:54Z-
dc.date.available2021-04-28T10:15:54Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://dspace.ddpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/439-
dc.description.abstractВ работе показана возможность создания наноструктур на поверхности Ge в температурном интервале 300 − 400 К, свойства которых изучены методами оптической, атомносиловой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Использование КРС позволило установить, что после снятия внешнего деформирующего кристалл давления остаточные напряжения в вырощеных наноструктурах не обнаруживаются, что способствует сохранению их длительной стабильности в процессе испытаний и хранения.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 4;85-91-
dc.subjectнаноструктураen_EN
dc.subjectдефектыen_EN
dc.subjectдислокацииen_EN
dc.subjectнапряжениеen_EN
dc.subjectрелаксацияen_EN
dc.titleCвойства наноструктур, сформированных на поверхности диффузионным массопереносомen_EN
dc.typeArticleen_EN
Розташовується у зібраннях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
pp-85.pdf2,45 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.