Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.ddpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/440
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorУколов, А.И.-
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorСысоев, Д.В.-
dc.date.accessioned2021-04-28T10:18:42Z-
dc.date.available2021-04-28T10:18:42Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://dspace.ddpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/440-
dc.description.abstractВ работе показана возможность практического использования фотоэлектрического метода для определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в приповерхностных слоях полупроводников. Выполнены теоретические расчеты концентрации нерановесных носителей заряда за пределами области их генерации.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 4;91-96-
dc.subjectгерманийen_EN
dc.subjectдефектыen_EN
dc.subjectдислокацииen_EN
dc.subjectдиффузионная длинаen_EN
dc.titleИзмерение диффузионной длины носителей заряда в приповерхностных слоях монокристалла германияen_EN
dc.typeArticleen_EN
Appears in Collections:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
pp-91.pdf1,27 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.