Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений

Abstract

В работе приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластиныGe. При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до25мкм и от него вдоль поверхности на расстоянии <1.2мм.Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в при поверхностном слое качественно согласуется с результатами электрических измерений времени жизни τ неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения τ может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем.