Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/222
Назва: | Распределение дифракционно-модулированного по интенсивности лазерного излучения на поверхности полупроводника |
Інші назви: | Distribution of intensity-diffracted laser radiation on asemiconductor surface |
Автори: | Надточий, В.А. Беш, А.Н. |
Ключові слова: | модуляция дифракция лазер кластер наноструктура полупроводник |
Дата публікації: | 2019 |
Видавництво: | Донбаський державний педагогічний університет |
Серія/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 9;46-51 |
Короткий огляд (реферат): | Изложены теоретические основы расчета голографического распределения интенсивности лазерного излучения при дифракции от двумерных экранов. Решение дифракционных задач выполнено с использованием интегралов Френеля или Кирхгофа в зависимости от формы ограничивающих экранов, на которые направлен лазерный луч |
Опис: | The theoretical basis for calculating the holographic intensity distribution of laser radiation during diffraction from two-dimensional screens is presented. The solution of diffraction problems is performed using the Fresnel or Kirchhoff integrals depending on the shape of the limiting screens, to which the laser beam is directed |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ddpu.edu.ua:8083/xmlui/handle/123456789/222 |
ISSN: | 2413-2667 |
Розташовується у зібраннях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 9 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
pp046-051.pdf | 325,39 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.