Cвойства наноструктур, сформированных на поверхности диффузионным массопереносом

Abstract

В работе показана возможность создания наноструктур на поверхности Ge в температурном интервале 300 − 400 К, свойства которых изучены методами оптической, атомносиловой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Использование КРС позволило установить, что после снятия внешнего деформирующего кристалл давления остаточные напряжения в вырощеных наноструктурах не обнаруживаются, что способствует сохранению их длительной стабильности в процессе испытаний и хранения.