Исследование наноструктур на поверхности монокристалического Ge методом атомно-силовой микроскопии

Abstract

В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллическогоGe, циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре310K. Деформирование кристаллов порождает на поверхности периодические дефектные структуры, обусловленные массопереносом при наличии градиента напряжений и возникновении направленных диффузионных потоков. Дислокационные петли в приповерхностном слое являются источниками зарождения наноструктур типа ямка-островок. При объединении островков на стадии созревания образуются гребни нанометровой высоты, источниками которых являются дислокационные петли, линейно ориентированные полями точечных дефектов.