Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/278
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Надточий, В.А. | - |
dc.contributor.author | Баранюкова, И.С. | - |
dc.date.accessioned | 2020-07-13T04:50:02Z | - |
dc.date.available | 2020-07-13T04:50:02Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.issn | 2413-2667 | - |
dc.identifier.uri | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/278 | - |
dc.description | The presence of various defects in the semiconductor crystal such as dislocations, vacancies, small-angle boundaries, and impurity atoms significantly reduces the lifetime of minority carriers of charge τ. In this paper attention is drawn to a similar action directly on the surface itself, as a natural defect in the crystal structure | en_EN |
dc.description.abstract | Присутствие в полупроводниковом кристалле различных дефектов типа дислокаций, вакансий, малоугловых границ и примесных атомов значительно сокращает время жизни неосновных носителей зарядаτ. В данной работе обращено внимание на подобное действие непосредственно самой поверхности, как естественного дефекта кристаллической структуры | en_EN |
dc.language.iso | other | en_EN |
dc.publisher | Донбаський державний педагогічний університет | en_EN |
dc.relation.ispartofseries | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8;60-64 | - |
dc.subject | скорость рекомбинации | en_EN |
dc.subject | равновесное состояние | en_EN |
dc.subject | дислокация | en_EN |
dc.subject | дефекты | en_EN |
dc.title | Центры рекомбинации на поверхности полупроводника | en_EN |
dc.title.alternative | Recombination centers on the surface of a semiconductor | en_EN |
dc.type | Article | en_EN |
Располагается в коллекциях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
pp_060-064.pdf | 169,95 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.