DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/278| Назва: | Центры рекомбинации на поверхности полупроводника |
| Інші назви: | Recombination centers on the surface of a semiconductor |
| Автори: | Надточий, В.А. Баранюкова, И.С. |
| Ключові слова: | скорость рекомбинации равновесное состояние дислокация дефекты |
| Дата публікації: | 2018 |
| Видавництво: | Донбаський державний педагогічний університет |
| Серія/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8;60-64 |
| Короткий огляд (реферат): | Присутствие в полупроводниковом кристалле различных дефектов типа дислокаций, вакансий, малоугловых границ и примесных атомов значительно сокращает время жизни неосновных носителей зарядаτ. В данной работе обращено внимание на подобное действие непосредственно самой поверхности, как естественного дефекта кристаллической структуры |
| Опис: | The presence of various defects in the semiconductor crystal such as dislocations, vacancies, small-angle boundaries, and impurity atoms significantly reduces the lifetime of minority carriers of charge τ. In this paper attention is drawn to a similar action directly on the surface itself, as a natural defect in the crystal structure |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/278 |
| ISSN: | 2413-2667 |
| Розташовується у зібраннях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| pp_060-064.pdf | 169,95 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.