Центры рекомбинации на поверхности полупроводника

Надточий, В.А.; Баранюкова, И.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/278

Title:	Центры рекомбинации на поверхности полупроводника
Other Titles:	Recombination centers on the surface of a semiconductor
Authors:	Надточий, В.А. Баранюкова, И.С.
Keywords:	скорость рекомбинации равновесное состояние дислокация дефекты
Issue Date:	2018
Publisher:	Донбаський державний педагогічний університет
Series/Report no.:	Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8;60-64
Abstract:	Присутствие в полупроводниковом кристалле различных дефектов типа дислокаций, вакансий, малоугловых границ и примесных атомов значительно сокращает время жизни неосновных носителей зарядаτ. В данной работе обращено внимание на подобное действие непосредственно самой поверхности, как естественного дефекта кристаллической структуры
Description:	The presence of various defects in the semiconductor crystal such as dislocations, vacancies, small-angle boundaries, and impurity atoms significantly reduces the lifetime of minority carriers of charge τ. In this paper attention is drawn to a similar action directly on the surface itself, as a natural defect in the crystal structure
URI:	http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/278
ISSN:	2413-2667
Appears in Collections:	Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
pp_060-064.pdf		169,95 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets