Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/368
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorХаперец, Д.С.-
dc.contributor.authorШарап, Р.А.-
dc.date.accessioned2020-11-25T12:03:38Z-
dc.date.available2020-11-25T12:03:38Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/368-
dc.descriptionThe electrical properties of the silicon p-n-junctions, deformable in compression under the step of loading at 300 and 77K . Established two distinct areas: lower reverse current p-n-junction critical pressure changes reversibly, above – is irreversible. Investigations of the structure of deformed p-n-junction temperature and reverse current dependencies.en_EN
dc.description.abstractИсследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования структуры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;47-55-
dc.subjectдеформацияen_EN
dc.subjectдислокацияen_EN
dc.subjectобратный токen_EN
dc.subjectэнергетические уровниen_EN
dc.subjectдефекты структурen_EN
dc.titleВлияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходовen_EN
dc.title.alternativeEffect of low-temperature deformation of the electrical properties of silicon p − n-junctionsen_EN
dc.typeArticleen_EN
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2016_pp_047.pdf1,32 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.