Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/368
Назва: Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходов
Інші назви: Effect of low-temperature deformation of the electrical properties of silicon p − n-junctions
Автори: Надточий, В.А.
Хаперец, Д.С.
Шарап, Р.А.
Ключові слова: деформация
дислокация
обратный ток
энергетические уровни
дефекты структур
Дата публікації: 2016
Видавництво: Донбаський державний педагогічний університет
Серія/номер: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;47-55
Короткий огляд (реферат): Исследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования структуры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока.
Опис: The electrical properties of the silicon p-n-junctions, deformable in compression under the step of loading at 300 and 77K . Established two distinct areas: lower reverse current p-n-junction critical pressure changes reversibly, above – is irreversible. Investigations of the structure of deformed p-n-junction temperature and reverse current dependencies.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/368
ISSN: 2413-2667
Розташовується у зібраннях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2016_pp_047.pdf1,32 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.