Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/368
Назва: | Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходов |
Інші назви: | Effect of low-temperature deformation of the electrical properties of silicon p − n-junctions |
Автори: | Надточий, В.А. Хаперец, Д.С. Шарап, Р.А. |
Ключові слова: | деформация дислокация обратный ток энергетические уровни дефекты структур |
Дата публікації: | 2016 |
Видавництво: | Донбаський державний педагогічний університет |
Серія/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;47-55 |
Короткий огляд (реферат): | Исследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования структуры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока. |
Опис: | The electrical properties of the silicon p-n-junctions, deformable in compression under the step of loading at 300 and 77K . Established two distinct areas: lower reverse current p-n-junction critical pressure changes reversibly, above – is irreversible. Investigations of the structure of deformed p-n-junction temperature and reverse current dependencies. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/368 |
ISSN: | 2413-2667 |
Розташовується у зібраннях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
2016_pp_047.pdf | 1,32 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.