DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/368| Title: | Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходов |
| Other Titles: | Effect of low-temperature deformation of the electrical properties of silicon p − n-junctions |
| Authors: | Надточий, В.А. Хаперец, Д.С. Шарап, Р.А. |
| Keywords: | деформация дислокация обратный ток энергетические уровни дефекты структур |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Донбаський державний педагогічний університет |
| Series/Report no.: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;47-55 |
| Abstract: | Исследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования структуры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока. |
| Description: | The electrical properties of the silicon p-n-junctions, deformable in compression under the step of loading at 300 and 77K . Established two distinct areas: lower reverse current p-n-junction critical pressure changes reversibly, above – is irreversible. Investigations of the structure of deformed p-n-junction temperature and reverse current dependencies. |
| URI: | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/368 |
| ISSN: | 2413-2667 |
| Appears in Collections: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2016_pp_047.pdf | 1,32 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.