1. Репозиторій Донбаського державного педагогічного університету
  2. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ
  3. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/369
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorНечволод, Н.К.-
dc.date.accessioned2020-11-25T12:09:14Z-
dc.date.available2020-11-25T12:09:14Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/369-
dc.descriptionStructural studies of covalent semiconductors, deformed at low temperatures, have shown the important role of vacancies in the surface layers of plasticity. Dislocation loops arising under the influence of the deformation in the space charge region p-n-junction silicon significantly reduces the lifetime of the nonequilibrium carriers injected into the base. In the current-voltage characteristics of the p-n-junction with dislocations observed a sharp increase in the reverse current.en_EN
dc.description.abstractСтруктурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носителей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;56-60-
dc.subjectмеханические напряженияen_EN
dc.subjectдеформацияen_EN
dc.subjectгерманийen_EN
dc.subjectкремнийen_EN
dc.subjectдислокацииen_EN
dc.subjectрелаксация напряженийen_EN
dc.subjectp-n-переходen_EN
dc.titleЭлектрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурахen_EN
dc.title.alternativeThe electrical properties of silicon p-n-junctions with structural defectsen_EN
dc.typeArticleen_EN
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2016_pp_056.pdf257,86 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.