Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/369
Название: Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах
Другие названия: The electrical properties of silicon p-n-junctions with structural defects
Авторы: Надточий, В.А.
Нечволод, Н.К.
Ключевые слова: механические напряжения
деформация
германий
кремний
дислокации
релаксация напряжений
p-n-переход
Дата публикации: 2016
Издательство: Донбаський державний педагогічний університет
Серия/номер: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;56-60
Краткий осмотр (реферат): Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носителей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока.
Описание: Structural studies of covalent semiconductors, deformed at low temperatures, have shown the important role of vacancies in the surface layers of plasticity. Dislocation loops arising under the influence of the deformation in the space charge region p-n-junction silicon significantly reduces the lifetime of the nonequilibrium carriers injected into the base. In the current-voltage characteristics of the p-n-junction with dislocations observed a sharp increase in the reverse current.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/369
ISSN: 2413-2667
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2016_pp_056.pdf257,86 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.