DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/369| Title: | Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах |
| Other Titles: | The electrical properties of silicon p-n-junctions with structural defects |
| Authors: | Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. |
| Keywords: | механические напряжения деформация германий кремний дислокации релаксация напряжений p-n-переход |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Донбаський державний педагогічний університет |
| Series/Report no.: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;56-60 |
| Abstract: | Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носителей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока. |
| Description: | Structural studies of covalent semiconductors, deformed at low temperatures, have shown the important role of vacancies in the surface layers of plasticity. Dislocation loops arising under the influence of the deformation in the space charge region p-n-junction silicon significantly reduces the lifetime of the nonequilibrium carriers injected into the base. In the current-voltage characteristics of the p-n-junction with dislocations observed a sharp increase in the reverse current. |
| URI: | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/369 |
| ISSN: | 2413-2667 |
| Appears in Collections: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2016_pp_056.pdf | 257,86 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.