1. Репозиторій Донбаського державного педагогічного університету
  2. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ
  3. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 11
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/674
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorБерестовой, А.М.-
dc.contributor.authorЕкимов, Е.А.-
dc.date.accessioned2021-11-14T17:30:46Z-
dc.date.available2021-11-14T17:30:46Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/674-
dc.descriptionIn the work it is systematized the most commonly used methods of investigation of semiconducting structures of low dimension (from micrometer units till tens of nanometers), that allow qualitatively and quantitively to distinguish their traditional and new features. Phenomena, running in near-surface layers of diamond-like crystals under the influence of low temperature (under0.35Tpl) deformation, ultrasonic and laser irradiation are examined. Physical mechanism of low-temperature microplasticity in single crystals Ge and Si isset. Physical patterns of modification of near-surface layers GaAs with low-level laser irradiation are identified. A new method of nanostructures formation in Ge under influence of dislocation-surface diffusion is offered.en_EN
dc.description.abstractВ работе систематизированы наиболее часто используемые методы исследования полупроводниковых структур низкой размерности (от единиц микрометров до десятков нанометров), позволяющих количественно и качественно определять традиционные и новые их свойства. Рассмотрены явления, происходящие в приповерхностных слоях алмазоподобных кристаллов под действием низкотемпературной (ниже0,35Tпл) деформации, ультразвукового и лазерного облучения. Установлен физический механизм низкотемпературной микропластичности в монокристаллах Ge и Si. Определены физические закономерности модификации приповерхностных слоев GaAs при низкоуровневом лазерном облучении. Предложен новый метод формирования наноструктур в Ge под действием дислокационно-поверхностной диффузии.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбріник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 11;48-58-
dc.subjectмикропластичностьen_EN
dc.subjectструктурные дефектыen_EN
dc.subjectметоды исследованияen_EN
dc.subjectдислокацияen_EN
dc.subjectкластерen_EN
dc.titleМетоды исследования и основные свойства низкоразмерных структурen_EN
dc.title.alternativeMethods of investigation and main features of low-sized structuresen_EN
dc.typeArticleen_EN
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 11

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
pp048-058.pdf899,38 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.