Методы исследования и основные свойства низкоразмерных структур

Abstract

В работе систематизированы наиболее часто используемые методы исследования полупроводниковых структур низкой размерности (от единиц микрометров до десятков нанометров), позволяющих количественно и качественно определять традиционные и новые их свойства. Рассмотрены явления, происходящие в приповерхностных слоях алмазоподобных кристаллов под действием низкотемпературной (ниже0,35Tпл) деформации, ультразвукового и лазерного облучения. Установлен физический механизм низкотемпературной микропластичности в монокристаллах Ge и Si. Определены физические закономерности модификации приповерхностных слоев GaAs при низкоуровневом лазерном облучении. Предложен новый метод формирования наноструктур в Ge под действием дислокационно-поверхностной диффузии.