DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/674| Назва: | Методы исследования и основные свойства низкоразмерных структур |
| Інші назви: | Methods of investigation and main features of low-sized structures |
| Автори: | Надточий, В.А. Берестовой, А.М. Екимов, Е.А. |
| Ключові слова: | микропластичность структурные дефекты методы исследования дислокация кластер |
| Дата публікації: | 2021 |
| Видавництво: | Донбаський державний педагогічний університет |
| Серія/номер: | Збріник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 11;48-58 |
| Короткий огляд (реферат): | В работе систематизированы наиболее часто используемые методы исследования полупроводниковых структур низкой размерности (от единиц микрометров до десятков нанометров), позволяющих количественно и качественно определять традиционные и новые их свойства. Рассмотрены явления, происходящие в приповерхностных слоях алмазоподобных кристаллов под действием низкотемпературной (ниже0,35Tпл) деформации, ультразвукового и лазерного облучения. Установлен физический механизм низкотемпературной микропластичности в монокристаллах Ge и Si. Определены физические закономерности модификации приповерхностных слоев GaAs при низкоуровневом лазерном облучении. Предложен новый метод формирования наноструктур в Ge под действием дислокационно-поверхностной диффузии. |
| Опис: | In the work it is systematized the most commonly used methods of investigation of semiconducting structures of low dimension (from micrometer units till tens of nanometers), that allow qualitatively and quantitively to distinguish their traditional and new features. Phenomena, running in near-surface layers of diamond-like crystals under the influence of low temperature (under0.35Tpl) deformation, ultrasonic and laser irradiation are examined. Physical mechanism of low-temperature microplasticity in single crystals Ge and Si isset. Physical patterns of modification of near-surface layers GaAs with low-level laser irradiation are identified. A new method of nanostructures formation in Ge under influence of dislocation-surface diffusion is offered. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/674 |
| ISSN: | 2413-2667 |
| Розташовується у зібраннях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 11 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| pp048-058.pdf | 899,38 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.