1. Репозиторій Донбаського державного педагогічного університету
  2. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ
  3. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/955
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorДемедюк, Роман-
dc.contributor.authorМєзєнцева, Ольга-
dc.date.accessioned2025-11-14T20:31:11Z-
dc.date.available2025-11-14T20:31:11Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationДемедюк, Р., & Мєзєнцева, О. (2025). ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ В ПОДВІЙНІЙ КВАНТОВІЙ ЯМІ ВНАСЛІДОК ІОНІЗАЦІЇ ДОНОРІВ: МАТЕМАТИКА. ФІЗИКА. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, (15), 007–011. https://doi.org/10.31865/2413-26672415-3079152025338097en_EN
dc.identifier.issn2415-3079-
dc.identifier.urihttp://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/955-
dc.descriptionRoman O. Demediuk, Olha A. Miezientseva Donbas State Pedagogical University, Sloviansk, Ukraine RESTRUCTURING OF ENERGY LEVELS IN A DOUBLE QUANTUM WELL AS A RESULT OF DONOR IONIZATION The paper investigates the effect of temperature ionization of delta-layer donor impurities on energy levels in a silicon double quantum well with 0,8 0,2 Si Ge barriers. It is shown that the redistribution of charges changes the potential profile, which affects the location and gap between the size-quantized levels. The results can be used for frequency tuning of terahertz optoelectronic devices. Keywords: quantum well, delta-doping, terahertz radiation, silicon nanostructures, ionization, optical transitions.en_EN
dc.description.abstractУ роботі досліджено вплив температурної іонізації донорних домішок дельта-шару на енергетичні рівні в кремнієвій подвійній квантовій ямі з Si0,8Ge0,2-бар’єрами. Показано, що перерозподіл зарядів змінює форму потенціального профілю, що впливає на розташування та зазор між рівнями розмірного квантування. Результати можуть бути використані для частотного налаштування терагерцових оптоелектронних пристроїв.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15;7-11-
dc.subjectквантова ямаen_EN
dc.subjectдельта-легуванняen_EN
dc.subjectтерагерцове випромінюванняen_EN
dc.subjectкремнієві наноструктуриen_EN
dc.subjectіонізаціяen_EN
dc.subjectоптичні переходиen_EN
dc.titleПеребудова енергетичних рівнів в подвійній квантовій ямі внаслідок іонізації донорівen_EN
dc.title.alternativeRestructuring of energy levels in a double quantum well as a result of donor ionizationen_EN
dc.typeArticleen_EN
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
338097-Текст статті-784146-1-10-20250825.pdf425,14 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.