1. Репозиторій Донбаського державного педагогічного університету
  2. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ
  3. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/955
Назва: Перебудова енергетичних рівнів в подвійній квантовій ямі внаслідок іонізації донорів
Інші назви: Restructuring of energy levels in a double quantum well as a result of donor ionization
Автори: Демедюк, Роман
Мєзєнцева, Ольга
Ключові слова: квантова яма
дельта-легування
терагерцове випромінювання
кремнієві наноструктури
іонізація
оптичні переходи
Дата публікації: 2025
Видавництво: Донбаський державний педагогічний університет
Бібліографічний опис: Демедюк, Р., & Мєзєнцева, О. (2025). ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ В ПОДВІЙНІЙ КВАНТОВІЙ ЯМІ ВНАСЛІДОК ІОНІЗАЦІЇ ДОНОРІВ: МАТЕМАТИКА. ФІЗИКА. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, (15), 007–011. https://doi.org/10.31865/2413-26672415-3079152025338097
Серія/номер: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15;7-11
Короткий огляд (реферат): У роботі досліджено вплив температурної іонізації донорних домішок дельта-шару на енергетичні рівні в кремнієвій подвійній квантовій ямі з Si0,8Ge0,2-бар’єрами. Показано, що перерозподіл зарядів змінює форму потенціального профілю, що впливає на розташування та зазор між рівнями розмірного квантування. Результати можуть бути використані для частотного налаштування терагерцових оптоелектронних пристроїв.
Опис: Roman O. Demediuk, Olha A. Miezientseva Donbas State Pedagogical University, Sloviansk, Ukraine RESTRUCTURING OF ENERGY LEVELS IN A DOUBLE QUANTUM WELL AS A RESULT OF DONOR IONIZATION The paper investigates the effect of temperature ionization of delta-layer donor impurities on energy levels in a silicon double quantum well with 0,8 0,2 Si Ge barriers. It is shown that the redistribution of charges changes the potential profile, which affects the location and gap between the size-quantized levels. The results can be used for frequency tuning of terahertz optoelectronic devices. Keywords: quantum well, delta-doping, terahertz radiation, silicon nanostructures, ionization, optical transitions.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/955
ISSN: 2415-3079
Розташовується у зібраннях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
338097-Текст статті-784146-1-10-20250825.pdf425,14 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.