DSpace JSPUI
DSpace сохраняет и позволяет легкий и открытый доступ ко всем видам цифрового контента, включая текст, изображения, анимированные изображения, MPEG и наборы данных
Узнать больше
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/278| Название: | Центры рекомбинации на поверхности полупроводника |
| Другие названия: | Recombination centers on the surface of a semiconductor |
| Авторы: | Надточий, В.А. Баранюкова, И.С. |
| Ключевые слова: | скорость рекомбинации равновесное состояние дислокация дефекты |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издательство: | Донбаський державний педагогічний університет |
| Серия/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8;60-64 |
| Краткий осмотр (реферат): | Присутствие в полупроводниковом кристалле различных дефектов типа дислокаций, вакансий, малоугловых границ и примесных атомов значительно сокращает время жизни неосновных носителей зарядаτ. В данной работе обращено внимание на подобное действие непосредственно самой поверхности, как естественного дефекта кристаллической структуры |
| Описание: | The presence of various defects in the semiconductor crystal such as dislocations, vacancies, small-angle boundaries, and impurity atoms significantly reduces the lifetime of minority carriers of charge τ. In this paper attention is drawn to a similar action directly on the surface itself, as a natural defect in the crystal structure |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/278 |
| ISSN: | 2413-2667 |
| Располагается в коллекциях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 8 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| pp_060-064.pdf | 169,95 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.