Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/315
Title: Устойчивость дислокаций, созданных активным источником в тонком приповерхностном слое кристалла полупроводника
Other Titles: Dislocation stability, created by an active source of a thin near-surface layer of a semiconductor crystal
Authors: Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Баранюкова, И.С.
Keywords: дислокация
полупроводник
силы изображения
эллиптический интеграл
диффузия
структура
Issue Date: 2017
Publisher: Донбаський державний педагогічний університет
Series/Report no.: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7;43-50
Abstract: Рассмотрена модель, в которой источник дислокаций заблокирован испущенными от него дислокациями в приповерхностном слое и они находятся под действием дислокационных сил изображения. Вычислены напряжения, действующие на дислокационный источник со стороны испущенной петли, полупетли и от дислокаций, являющихся их изображением. Показано, что при заданном внешнем напряжении силы изображения способны вывести на поверхность лишь малые дислокационные петли из глубины, не большей нескольких сотен ангстрем.
Description: A model is considered in which a dislocation source is blocked by dislocations emitted from it in the near-surface layer and they are under the action of dislocation image forces. The stresses acting on the dislocation source from the side of the emitted loop, the half loop and from the dislocations that are their images are calculated. It is shown that at a given external voltage, the image forces are able to bring to the surface only small dislocation loops from a depth not exceeding several hundred angstroms.
URI: http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/315
ISSN: 2413-2667
Appears in Collections:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
znpfmf2017_043-050.pdf256,98 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.