Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/315
Назва: | Устойчивость дислокаций, созданных активным источником в тонком приповерхностном слое кристалла полупроводника |
Інші назви: | Dislocation stability, created by an active source of a thin near-surface layer of a semiconductor crystal |
Автори: | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Баранюкова, И.С. |
Ключові слова: | дислокация полупроводник силы изображения эллиптический интеграл диффузия структура |
Дата публікації: | 2017 |
Видавництво: | Донбаський державний педагогічний університет |
Серія/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7;43-50 |
Короткий огляд (реферат): | Рассмотрена модель, в которой источник дислокаций заблокирован испущенными от него дислокациями в приповерхностном слое и они находятся под действием дислокационных сил изображения. Вычислены напряжения, действующие на дислокационный источник со стороны испущенной петли, полупетли и от дислокаций, являющихся их изображением. Показано, что при заданном внешнем напряжении силы изображения способны вывести на поверхность лишь малые дислокационные петли из глубины, не большей нескольких сотен ангстрем. |
Опис: | A model is considered in which a dislocation source is blocked by dislocations emitted from it in the near-surface layer and they are under the action of dislocation image forces. The stresses acting on the dislocation source from the side of the emitted loop, the half loop and from the dislocations that are their images are calculated. It is shown that at a given external voltage, the image forces are able to bring to the surface only small dislocation loops from a depth not exceeding several hundred angstroms. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/315 |
ISSN: | 2413-2667 |
Розташовується у зібраннях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
znpfmf2017_043-050.pdf | 256,98 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.