1. Репозиторій Донбаського державного педагогічного університету
  2. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ
  3. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/315
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorУколов, А.И.-
dc.contributor.authorБаранюкова, И.С.-
dc.date.accessioned2020-08-25T18:35:47Z-
dc.date.available2020-08-25T18:35:47Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.issn2413-2667-
dc.identifier.urihttp://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/315-
dc.descriptionA model is considered in which a dislocation source is blocked by dislocations emitted from it in the near-surface layer and they are under the action of dislocation image forces. The stresses acting on the dislocation source from the side of the emitted loop, the half loop and from the dislocations that are their images are calculated. It is shown that at a given external voltage, the image forces are able to bring to the surface only small dislocation loops from a depth not exceeding several hundred angstroms.en_EN
dc.description.abstractРассмотрена модель, в которой источник дислокаций заблокирован испущенными от него дислокациями в приповерхностном слое и они находятся под действием дислокационных сил изображения. Вычислены напряжения, действующие на дислокационный источник со стороны испущенной петли, полупетли и от дислокаций, являющихся их изображением. Показано, что при заданном внешнем напряжении силы изображения способны вывести на поверхность лишь малые дислокационные петли из глубины, не большей нескольких сотен ангстрем.en_EN
dc.language.isootheren_EN
dc.publisherДонбаський державний педагогічний університетen_EN
dc.relation.ispartofseriesЗбірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7;43-50-
dc.subjectдислокацияen_EN
dc.subjectполупроводникen_EN
dc.subjectсилы изображенияen_EN
dc.subjectэллиптический интегралen_EN
dc.subjectдиффузияen_EN
dc.subjectструктураen_EN
dc.titleУстойчивость дислокаций, созданных активным источником в тонком приповерхностном слое кристалла полупроводникаen_EN
dc.title.alternativeDislocation stability, created by an active source of a thin near-surface layer of a semiconductor crystalen_EN
dc.typeArticleen_EN
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
znpfmf2017_043-050.pdf256,98 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.