Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/315
Название: Устойчивость дислокаций, созданных активным источником в тонком приповерхностном слое кристалла полупроводника
Другие названия: Dislocation stability, created by an active source of a thin near-surface layer of a semiconductor crystal
Авторы: Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Баранюкова, И.С.
Ключевые слова: дислокация
полупроводник
силы изображения
эллиптический интеграл
диффузия
структура
Дата публикации: 2017
Издательство: Донбаський державний педагогічний університет
Серия/номер: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7;43-50
Краткий осмотр (реферат): Рассмотрена модель, в которой источник дислокаций заблокирован испущенными от него дислокациями в приповерхностном слое и они находятся под действием дислокационных сил изображения. Вычислены напряжения, действующие на дислокационный источник со стороны испущенной петли, полупетли и от дислокаций, являющихся их изображением. Показано, что при заданном внешнем напряжении силы изображения способны вывести на поверхность лишь малые дислокационные петли из глубины, не большей нескольких сотен ангстрем.
Описание: A model is considered in which a dislocation source is blocked by dislocations emitted from it in the near-surface layer and they are under the action of dislocation image forces. The stresses acting on the dislocation source from the side of the emitted loop, the half loop and from the dislocations that are their images are calculated. It is shown that at a given external voltage, the image forces are able to bring to the surface only small dislocation loops from a depth not exceeding several hundred angstroms.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/315
ISSN: 2413-2667
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 7

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
znpfmf2017_043-050.pdf256,98 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.