Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/368
Название: Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходов
Другие названия: Effect of low-temperature deformation of the electrical properties of silicon p − n-junctions
Авторы: Надточий, В.А.
Хаперец, Д.С.
Шарап, Р.А.
Ключевые слова: деформация
дислокация
обратный ток
энергетические уровни
дефекты структур
Дата публикации: 2016
Издательство: Донбаський державний педагогічний університет
Серия/номер: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;47-55
Краткий осмотр (реферат): Исследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования структуры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока.
Описание: The electrical properties of the silicon p-n-junctions, deformable in compression under the step of loading at 300 and 77K . Established two distinct areas: lower reverse current p-n-junction critical pressure changes reversibly, above – is irreversible. Investigations of the structure of deformed p-n-junction temperature and reverse current dependencies.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/368
ISSN: 2413-2667
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2016_pp_047.pdf1,32 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.