Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/368
Название: | Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходов |
Другие названия: | Effect of low-temperature deformation of the electrical properties of silicon p − n-junctions |
Авторы: | Надточий, В.А. Хаперец, Д.С. Шарап, Р.А. |
Ключевые слова: | деформация дислокация обратный ток энергетические уровни дефекты структур |
Дата публикации: | 2016 |
Издательство: | Донбаський державний педагогічний університет |
Серия/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6;47-55 |
Краткий осмотр (реферат): | Исследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования структуры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока. |
Описание: | The electrical properties of the silicon p-n-junctions, deformable in compression under the step of loading at 300 and 77K . Established two distinct areas: lower reverse current p-n-junction critical pressure changes reversibly, above – is irreversible. Investigations of the structure of deformed p-n-junction temperature and reverse current dependencies. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/368 |
ISSN: | 2413-2667 |
Располагается в коллекциях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 6 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2016_pp_047.pdf | 1,32 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.