Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/520

Title:	Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge
Authors:	Надточий, В.А. Уколов, А.И. Попов, О.К. Перебайло, С.А.
Keywords:	полупроводник эффективное время жизни скорость поверхностной рекомбинации
Issue Date:	2012
Publisher:	Слов'янський державний педагогічний університет
Series/Report no.:	Збірник наукових праць СДПУ, Випуск 2;87-93
Abstract:	Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений эффективного времени жизни, времени жизни в объеме и скорости поверхностной рекомбинации.
URI:	http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/520
ISSN:	2413-2667
Appears in Collections:	Збірник наукових праць фізико-математичного факультету СДПУ, Випуск 2

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
087-093.pdf		937,71 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI