DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/520| Назва: | Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge |
| Автори: | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Попов, О.К. Перебайло, С.А. |
| Ключові слова: | полупроводник эффективное время жизни скорость поверхностной рекомбинации |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | Слов'янський державний педагогічний університет |
| Серія/номер: | Збірник наукових праць СДПУ, Випуск 2;87-93 |
| Короткий огляд (реферат): | Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений эффективного времени жизни, времени жизни в объеме и скорости поверхностной рекомбинации. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/520 |
| ISSN: | 2413-2667 |
| Розташовується у зібраннях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету СДПУ, Випуск 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 087-093.pdf | 937,71 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.