Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/520
Название: Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge
Авторы: Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Попов, О.К.
Перебайло, С.А.
Ключевые слова: полупроводник
эффективное время жизни
скорость поверхностной рекомбинации
Дата публикации: 2012
Издательство: Слов'янський державний педагогічний університет
Серия/номер: Збірник наукових праць СДПУ, Випуск 2;87-93
Краткий осмотр (реферат): Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений эффективного времени жизни, времени жизни в объеме и скорости поверхностной рекомбинации.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/520
ISSN: 2413-2667
Располагается в коллекциях:Збірник наукових праць фізико-математичного факультету СДПУ, Випуск 2

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
087-093.pdf937,71 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.