Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/520
Название: | Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического Ge |
Авторы: | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Попов, О.К. Перебайло, С.А. |
Ключевые слова: | полупроводник эффективное время жизни скорость поверхностной рекомбинации |
Дата публикации: | 2012 |
Издательство: | Слов'янський державний педагогічний університет |
Серия/номер: | Збірник наукових праць СДПУ, Випуск 2;87-93 |
Краткий осмотр (реферат): | Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений эффективного времени жизни, времени жизни в объеме и скорости поверхностной рекомбинации. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://ddpu.edu.ua:8083/ddpu/handle/123456789/520 |
ISSN: | 2413-2667 |
Располагается в коллекциях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету СДПУ, Випуск 2 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
087-093.pdf | 937,71 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.