DSpace JSPUI
DSpace сохраняет и позволяет легкий и открытый доступ ко всем видам цифрового контента, включая текст, изображения, анимированные изображения, MPEG и наборы данных
Узнать больше
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/955| Название: | Перебудова енергетичних рівнів в подвійній квантовій ямі внаслідок іонізації донорів |
| Другие названия: | Restructuring of energy levels in a double quantum well as a result of donor ionization |
| Авторы: | Демедюк, Роман Мєзєнцева, Ольга |
| Ключевые слова: | квантова яма дельта-легування терагерцове випромінювання кремнієві наноструктури іонізація оптичні переходи |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издательство: | Донбаський державний педагогічний університет |
| Библиографическое описание: | Демедюк, Р., & Мєзєнцева, О. (2025). ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ В ПОДВІЙНІЙ КВАНТОВІЙ ЯМІ ВНАСЛІДОК ІОНІЗАЦІЇ ДОНОРІВ: МАТЕМАТИКА. ФІЗИКА. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, (15), 007–011. https://doi.org/10.31865/2413-26672415-3079152025338097 |
| Серия/номер: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15;7-11 |
| Краткий осмотр (реферат): | У роботі досліджено вплив температурної іонізації донорних домішок дельта-шару на енергетичні рівні в кремнієвій подвійній квантовій ямі з Si0,8Ge0,2-бар’єрами. Показано, що перерозподіл зарядів змінює форму потенціального профілю, що впливає на розташування та зазор між рівнями розмірного квантування. Результати можуть бути використані для частотного налаштування терагерцових оптоелектронних пристроїв. |
| Описание: | Roman O. Demediuk, Olha A. Miezientseva Donbas State Pedagogical University, Sloviansk, Ukraine RESTRUCTURING OF ENERGY LEVELS IN A DOUBLE QUANTUM WELL AS A RESULT OF DONOR IONIZATION The paper investigates the effect of temperature ionization of delta-layer donor impurities on energy levels in a silicon double quantum well with 0,8 0,2 Si Ge barriers. It is shown that the redistribution of charges changes the potential profile, which affects the location and gap between the size-quantized levels. The results can be used for frequency tuning of terahertz optoelectronic devices. Keywords: quantum well, delta-doping, terahertz radiation, silicon nanostructures, ionization, optical transitions. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.ddpu.edu.ua/ddpu/handle/123456789/955 |
| ISSN: | 2415-3079 |
| Располагается в коллекциях: | Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, Випуск 15 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 338097-Текст статті-784146-1-10-20250825.pdf | 425,14 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.