Просмотр собрания по группе - Авторы Надточий, В.А.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 15 из 15
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2014Cвойства наноструктур, сформированных на поверхности диффузионным массопереносомУколов, А.И.; Надточий, В.А.; Винокурова, А.С.; Калимбет, А.З.
2016Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых p-n-переходовНадточий, В.А.; Хаперец, Д.С.; Шарап, Р.А.
2014Измерение диффузионной длины носителей заряда в приповерхностных слоях монокристалла германияУколов, А.И.; Надточий, В.А.; Сысоев, Д.В.
2012Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллического GeНадточий, В.А.; Уколов, А.И.; Попов, О.К.; Перебайло, С.А.
2012Исследование наноструктур на поверхности монокристалического Ge методом атомно-силовой микроскопииНадточий, В.А.; Уколов, А.И.; Костенко, С.А; Редникин, Д.Ю.
2013Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряженийНадточий, В.А.; Уколов, А.И.; Щербина, И.Л.; Иванов, Р.И.
2020Квантовые точки и квантовые нити для современной полупроводниковой электроникиНадточий, В.А.; Воронова, И.В.; Сыпчук, Е.Ю.
2021Методы исследования и основные свойства низкоразмерных структурНадточий, В.А.; Берестовой, А.М.; Екимов, Е.А.
2020Низкоразмерные структуры и их свойстваНадточий, В.А.; Воронова, И.В.
2017Образование дефектов в монокристаллах германия при импульсном лазерном воздействииНадточий, В.А.; Уколов, А.И.; Нечволод, Н.К.; Баранюкова, И.С.
2019Распределение дифракционно-модулированного по интенсивности лазерного излучения на поверхности полупроводникаНадточий, В.А.; Беш, А.Н.
2017Устойчивость дислокаций, созданных активным источником в тонком приповерхностном слое кристалла полупроводникаНадточий, В.А.; Уколов, А.И.; Баранюкова, И.С.
2015Физические механизмы разрушения ковалентных кристаллов при пониженных температурахДемченко, А.С.; Надточий, В.А.
2018Центры рекомбинации на поверхности полупроводникаНадточий, В.А.; Баранюкова, И.С.
2016Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурахНадточий, В.А.; Нечволод, Н.К.